ПРОМЫШЛЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА

: .

Д)активный режекторный фильтр Е)не полосовой фильтрF) фильтр пробка E) по зигзагообразной траектории F) используя излучательную рекомбинацию в р-n переходе

Активный инверсный режим транзистора:A) Напряжение Uбэ˂0, а напряжение Uкэ˃0B) эмиттерный переход закрыт, а коллекторный открыт Д)это управляемый режим транзистора

Алгоритм преобразования данных в форме последовательности команд ЭВМ: F) коэффициент ИМС k=lgN 3G) количество информации

Алгоритм преобразования данных в форме последовательности команд ЭВМ: D) программа F) программное обеспечение

База: электрод, подключенный к центральному слою

В качестве излучателя целесообразно использовать: D)инфракрасный диод E)светоизлучающий диод

В схеме выпрямителя стабилитрон выполняет задачу: A) Опорного диода E) Лавинного диода

Варианты изменения коэффициента усиления усилителя, если закоротить резистор R,: коэффициент усиления станет равным нулю Кр=0 Ки=0

Величина входного сопротивления полевого транзистора равна: С) несколько МОм D)высокое, намного больше входного сопротивления биполярного транзистора F) большое, так как в структуре имеется слой диэлектрика

Включение тиристора произойдет: B)если увеличить ЭДС источника питания до значения, большего

Влияние роста температуры на ВАХ полупроводникового диода :В) с увеличением температуры обратный ток растет, а прямой уменьшается С) с увеличением температуры пробой наступает при меньших напряжениях

Влияние роста температуры на ВАХ полупроводникового диода :В) с увеличением температуры обратный ток растет, а прямой уменьшается С) с увеличением температуры пробой наступает при меньших напряжениях

Влияние роста температуры на ВАХ полупроводникового диода: B) с увеличением температуры пробой наступает при меньших напряжениях

Возможные виды направленного движения носителей заряда в полупроводниках: Движение носителей заряда за счет разности концентрации Движение носителей заряда за счет напряженности электрического поля Диффузионное и дрейфовое

Волоконный световод-это:С) стеклянная нить малого диаметраD) тонкая нить из оптически прозрачного стеклаЕ) стекловолокно-толщиной несколько микрон

Вольт-амперная характеристика тиристора и симистора выглядит следующим образом: правильный ответ!!! правильный ответ!!!

Встречно-параллельные диоды VD1 и VD2 включены для стабилизация амплитуды выходного сигналаЕ) увеличения амплиьтуды сигнала отрицательной обратной связиF) уменьшения коэффициента усиления сигнала

Входной измерительной сигнал характеризуется параметрами, которые можно подразделить :А) на не информативные Коэффициент усиления по напряжению инвертирующего усилителя:С) Е) F) Схема, изображенная на рисунке: Д) трехэлектродный полупроводниковый приборF) транзисторное устройство




Входной измерительной сигнал характеризуется параметрами, которые можно подразделить :А) на не информативные
Коэффициент усиления по напряжению инвертирующего усилителя:С) Е) F)
Схема, изображенная на рисунке: Д)активный режекторный фильтр Е)не полосовой фильтрF) фильтр пробка

Главное отличие коллектора от эмиттера: на нем рассеивается самая большая мощность в области коллектора происходит экстракция носителей из базы большая площадь р — п-перехода

Двоичная цифра – это:А)двоичное число

Двоичная цифра- это:А) двоичное число

Двоичная цифра- это:А) двоичное число

Действие излучающего диода основано:В) на прицеле – лазера и усилия светаD) на явлении инжекционной электролюминисенции

Диод, используемый в качестве емкости:В) вариконд С) варикап

Диод, используемый в качестве емкости: имеет малые потери в рабочем диапазоне частот и используется в качестве нелинейно управляемого диода

Диод, используемый для выпрямления переменного тока: преобразователь выпрямительный устройство с односторонней проводимостью

Диффузионная длина электронов в p-области диода связана со временем жизни носителей соотношением: правильный ответ!!! правильный ответ!!! G)от связи двух параметров: коэффициента диффузии и времени жизни носителей заряда
Пороговое напряжение это: напряжение затвора, при котором появляется заметный ток стока напряжение, при котором концентрация электронов около поверхности Si-Si02 будет в 2 раза больше концентрации дырок в подложке

Диффузионная длина электронов в р-области диода связана со временем жизни носителей соотношением:Е) F) G)

Диффузионной длиной называется: Расстояние, на котором концентрация носителей заряда при диффузионном движении, убывает в е раз L = D.t

Диффузионный ток в полупроводнике-это:E) движение носителей заряда из-за разности концентртаций в примесном полупроводникеF) движение носителей заряда за счет разности концентраций

Длинной канала называют: B)расстояние включающее длину истоковой и стоковой области и промежуточное расстояние между ними C)расстояние между истоковой и стоковой областями n-типа или р-типа E)расстояние канала в подложечной части управляемой затвором



Если сопротивление элемента зависит от тока или приложенного напряжения, то такой элемент называетсяА) элементом с прямозависимой характеристикойВ) элемент с линейной ВАХС) элементом с линейной характеристикой

Если сопротивление элемента зависит от тока или приложенного напряжения, то такой элемент называется:А) элемент с линейной ВАХ

Если сопротивление элемента зависит от тока или приложенного напряжения, то такой элемент называется:А) элемент с линейной ВАХ

Зависит ли сечение канала от величины напряжения Ucnполевого транзистора: В)зависит, т.к. управляется напряжением на затворе D)зависит, т.к. падение напряжения в канале определяет напряжение на переходе, а также его ширину E)зависит и от правильно поданного напряжения стока и истока

Значения выходного сопротивления идеального операционного усилителя: близкое к нулю О должно быть низким, так как часто используется схема с общим коллектором на выходе

Источники синфазного сигнала- это: Д)температурная нестабильностьЕ)переменное и постоянное напряжение, наводимое на проводах на входе

Источники синфазного сигнала- это: Д)температурная нестабильностьЕ)переменное и постоянное напряжение, наводимое на проводах на входе

Количество компонентов N в кристалле полупроводника характеризуетD) число компонентов микросхемыЕ) степень интеграции

Коллектором называют:А) область, которая по геометрическим размерам больше чем эмиттер и базаD) область транзистора, назначением которой является экстракция из базы неосновных носителей

Коэффициент логического элемента, определяющий количество входов аналогичных элементов, которое может быть подключено к его выходу:В) «n» по выходу Е) разветвления G) коэффициент разветвления

Коэффициент усиления по току биполярного транзистора в схеме включения с общим эмиттером- это:В) отношение тока коллектроа к току базы при U2=const

Крутизна полевого транзистора правильный ответ А!!!

Лучшие высокочастотные свойства дрейфового транзистора:В) малое время движения неосновных носителей через базуД) быстродействия транзистора за счет уменьшения времени пролета носителей через базу Е)время пролета электронов через базу сокращается в четыре –пять раз

Лучшие высокочастотные свойства дрейфового транзистора:В) малое время движения неосновных носителей через базуД) быстродействия транзистора за счет уменьшения времени пролета носителей через базу Е)время пролета электронов через базу сокращается в четыре –пять раз

Малое значение тока динистора на участке О А объясняется: напряжение переключения не достигло нужного значения, чтобы анодный ток начал увеличиваться закрыт средний переход структуры

Метод графического представления таблиц истинности (всех возможных комбинаций переменных):В) метод, выявляющий минимальные произведения Е) карты Карно

Метод графического представления таблиц истинности (всех возможных комбинаций переменных):В) метод, выявляющий минимальные произведения Е) карты Карно

Метод непосредственной оценки состоит в том что: В)о значении измеряемой величины судят по показанию одного (прямые измерение )СИ Д) средства измерений проградуированы в единицах измеряемой величины Е) о значении измеряемой величины судят по показанию нескольких( косвенные измерения)СИ
В процессе измерения может иметь место воздействие на обьект измерения, которой может вызвать изменение измеряемой величины больше допустимого, во избежание этого необходимо согласовать измерительную систему с измеряемым обьектом , в зависимости от ситуации различают типы согласования: В)согласование по шуму С) анэнергетическое G)энергетическое

Метод непосредственной оценки состоит в том что: В)о значении измеряемой величины судят по показанию одного (прямые измерение )СИ Д) средства измерений проградуированы в единицах измеряемой величины Е) о значении измеряемой величины судят по показанию нескольких( косвенные измерения)СИ
В процессе измерения может иметь место воздействие на обьект измерения, которой может вызвать изменение измеряемой величины больше допустимого, во избежание этого необходимо согласовать измерительную систему с измеряемым обьектом , в зависимости от ситуации различают типы согласования: В)согласование по шуму С) анэнергетическое G)энергетическое

Модуляция толщины базы коллекторным напряжением: изменение толщины базы при изменении напряжения на коллекторе, т.е. увеличение допустимого напряжения на коллекторном переходе изменение толщины базы при изменении коллекторного напряжения вследствие изменения ширины коллекторного перехода

Мультивибратор генерирует импульсы положительной полярности, чтобы изменить полярность выходных импульсов необходимо: подключить диод в обратном направлении поменять направление тока протекающего через диод изменив его включение

Название выводных электродов операционного усилителя : вход 1 - неинвертирующий вход, т.е. выходной сигнал совпадает по фазе с входным

Название коэффициента логического элемента, определяющий число входов, которое может иметь элемент:В) коэффициент объединенияD) «m» объединенияF) «m» по входу

Назначение катушки индуктивности на представленной схеме: E) на высоких частотах уменьшаются усилительные свойства транзисторов, для компенсации этого явления последовательно с резистором включают катушку индуктивностиНазвание коэффициента логического элемента, определяющий число входов, которое может иметь элемент: B) «m» по входу E) коэффициент объединения Коэффициент логического элемента, определяющий количество входов аналогичных элементов, которое может быть подключено к его выходу: B) разветвления

Начальный ток стока полевого транзистора: В)при нулевом напряжении на затворе и напряжение отсечки, которое нужно подать на затвор для запирания канала С)ток стока в области насыщения Ши = 0 и при заданном напряжении G) ток в цепи стока при нулевом напряжении на затворе транзистора

Носители заряда, которыми обусловлен ток коллектора биполярного транзистора:А) неосновные носители эаряда в n-p-n транзисторе-электроныD) основные носители заряда в области базы

Опишите изменение барьерной емкости при увеличении (по модулю) обратного напряжения p-n перехода:С) уменьшается пропорциональноD) уменьшается по линейному законуG) уменьшается соответственно по модулю напряжения

Определение коэффициента передачи тока при включении транзистора по схеме с общим эмиттером : А) С)

Определение коэффициента передачи тока при включении транзистора по схеме с общим эмиттером : А) С)

Определение параметра А) В) С)

Определение параметра А) В) С)

Оптопара, изображенная на рисунке: оптоэлектронное устройство с фотодиодом транзистором на выходе

Оптопара, используемая для коммутации сильноточных высоковольтных цепей: тиристорный оптрон симисторный оптрон динисторный оптрон

Оптроны в схемах сопряжения ТТЛ и МДП элементов по оптическому каналу обеспечивает: гальваническую развязку в измерительных приборах по оптическому каналу уменьшают влияние помех, действующих по цепям заземления и питания подключают к телефонным линиям микроэлектронные устройства

Оптроны с открытым оптическим каналом фиксируют: A) состояние поверхности предметов F) скорость перемещения или поворота Свет распространяется по световоду: D) по вращательной траектории вдоль волокна

Оптроны с открытым оптическим каналом фиксируют:С) состояние поверхности предметовD) наличие (или отсутствие) предметовЕ) скорость перемещения или поворота

Ортопара, используемая для коммутации сильноточных высоковольтных цепей:А) симисторный оптронЕ) тиристорный оптронF) динисторный оптрон

Основные достоинства оптрона гальваническая развязка возможность разделения входной и выходной цепей

Основные факторы, приводящие к отличию реальных ВАХ полупроводника от теоретической: Конечность размеров р-n перехода Зависимость от температуры


6627340914361269.html
6627377776253188.html
bool(false)     PR.RU™